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Deji Akinwande

scientifique
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Deji Akinwande est un professeur nigérian-américain de génie électrique et informatique, affilié à titre gracieux à la science des matériaux à l'université du Texas à Austin. Il est lauréat du Prix présidentiel de début de carrière pour les scientifiques et les ingénieurs en 2016 des mains de Barack Obama. Il est membre de la Société américaine de physique, de l'Académie africaine des sciences, de la Materials Research Society (MRS) et de l'Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE).

Deji Akinwande
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Enfance et formation

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Akinwande est né à Washington, DC et déménage au Nigeria dans ses premières années[1]. Il grandit à Ikeja avec ses parents[1]. Son père est contrôleur financier de Guardian News et sa mère travaille au ministère de l'Éducation. Il fréquente le Federal Government College d'Idoani (en) et s'intéresse aux sciences et à l'ingénierie[1]. Il retourne aux États-Unis en 1994, commençant au Cuyahoga Community College et finalement transféré à l'Université Case Western Reserve pour étudier le génie électrique et la physique appliquée[1]. Au cours de sa maîtrise, il est le pionnier de la conception de pointes micro-ondes en champ proche pour l'imagerie non destructive[2]. Il est accepté à l'université Stanford en tant qu'étudiant diplômé, où il travaille sur les propriétés électroniques des matériaux à base de carbone[1]. Il est sélectionné comme membre de la Fondation Alfred P. Sloan pendant son doctorat[1]. Il est également sélectionné comme boursier DARE (Diversifying Academia, Recruiting Excellence) en 2008[3]. Il termine son doctorat en 2009[4]. Il rejoint l'université du Texas à Austin en 2010 en tant que professeur adjoint en janvier 2010 et reçoit des subventions de recherche de plusieurs agences, dont la National Science Foundation (NSF), l'Army Research Office (ARO), la Defense Threat Reduction Agency (DTRA), DARPA, AFOSR et Office of Naval Research, ce dernier se concentrant sur l'électronique 2D flexible à haute fréquence[5].

Recherche et carrière

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Akinwande collabore avec Aixtron sur la croissance, la caractérisation et l'intégration du graphène à l'échelle d'une tranche[6]. La collaboration démontre la croissance évolutive du graphène polycristallin par dépôt chimique en phase vapeur[7],[8]. En 2011, il publie le premier manuel sur la physique des nanotubes de carbone et des dispositifs en graphène avec le professeur Philip Wong de l'uiversité Stanford[9]. Il est nommé membre senior de l'Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) en 2013[2]. Il réalise plusieurs progrès dans le domaine de l'électronique du graphène bidimensionnel[10]. En 2015, il présente le premier transistor au silicium bidimensionnel[11]. Akinwande, en collaboration avec le groupe d'Alessandro Molle au CNR, en Italie, y parvient en évaporant du silicium sur un cristal d'argent, en surveillant la croissance en temps réel à l'aide de la microscopie à effet tunnel[11],[12]. Cette avancée scientifique est sélectionnée comme l'un des meilleurs articles scientifiques de 2015 par le magazine Discover[13]. Le travail sur le silicène est la publication Nature Nanotechnology la plus citée de la même période.

Il présente ensuite les capteurs de tatouage électroniques les plus fins et les plus transparents fabriqués à partir de graphène en 2017, qui mesurent moins de 500 nm d'épaisseur et 85 % optiquement transparent. Cette recherche est menée en collaboration avec le groupe de Nanshu Lu (en)[14]. Les tatouages peuvent être laminés sur la peau humaine comme un tatouage temporaire (en), mais pourraient mesurer l'électrocardiographie, l'électroencéphalographie, la température et l'hydratation[14]. Par la suite, les tatouages au graphène sont développés comme plate-forme portable pour surveiller en continu la pression artérielle en utilisant la modalité de bio-impédance publiée dans Nature Nanotechnology en 2022[15]. Il démontre le premier atomristor en étudiant la commutation de résistance non volatile à l'aide d'une feuille atomique 2D de bisulfure de molybdène[16]. Remarquablement, l’effet mémoire persiste jusqu’à un seul atome[17]. Les appareils peuvent être aussi fins que 1,5 nm et ont des applications dans les smartphones 5G et futurs 6G[18] en tant que commutateurs radiofréquence à puissance statique nulle, Internet des objets et circuits d'intelligence artificielle[19]. Il est prévu que la découverte de la mémoire dans ces systèmes soit universelle parmi les matériaux 2D[20].

Il est membre du comité de rédaction de Reviewing Editors for Science, rédacteur associé d'ACS Nano, rédacteur en chef de la revue Nature npj 2D Materials and Applications et ancien rédacteur en chef de IEEE Electron Devices Letters[21],[22]. Il donne une douzaine de conférences plénières et principales, y compris la conférence plénière lors du congrès annuel SPIE 2017 Optics & Photonics, où il discute des progrès, des opportunités et des défis des dispositifs électroniques 2D[23]. Il est nommé membre de l'American Physical Society en 2017 et Fellow du Programme Fulbright en 2018[24],[25]. Il visite l'université Adam-Mickiewicz de Poznań en 2019[26]. Trois de ses anciens chercheurs postdoctoraux sont maintenant professeurs : Shideh Kabiri de l'université Queen's au Canada, Li Tao de l'université du Sud-Est de Nankin et Seongin Hong de l'Université Gachon. Myungsoo Kim, ancien doctorant, est aujourd'hui professeur à l'Université nationale de science et de technologie d'Ulsan (UNIST) en Corée du Sud.

Il est finaliste pour le prix « UT System Regents » Outstanding Teaching » de l'université du Texas à Austin pendant plusieurs années, la plus haute reconnaissance en matière d'enseignement au Texas[27].

Il a présidé plusieurs conférences et comités de programmes majeurs en nanoélectronique/nanotechnologie tels que la Conférence de recherche Gordon (en) sur les matériaux 2D ; la Conférence sur la recherche sur les appareils ; le sous-comité CND de la rencontre internationale sur les dispositifs électroniques (en).

Postes académiques

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Akinwande est en 2016 chercheur invité, CNR, Agrate Brianza, en Italie, professeur invité au Département d'ingénierie de l'université de Cambridge et Fellow du Pembroke College, Cambridge. En 2017 il est Theodore von Kármán Fellow et professeur invité, à l'École supérieure polytechnique de Rhénanie-Westphalie, De 2020 à 2023, il est professeur doté de la Temple Foundation, UT-Austin. Depuis 2023, il est titulaire de la Chaire Cockrell Family Regents en ingénierie n° 8, UT-Austin.

Publications et brevets

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Il est l'auteur de plus de 340 publications citées plus de 24 000 fois. Il a publié 1 manuel et 3 chapitres de livres. Il a prononcé plus d'une douzaine de conférences plénières et principales. Il a donné plus de 130 conférences et séminaires invités lors de conférences, d'universités et d'institutions. Il possède 6 brevets attribués ou en attente couvrant des inventions en électronique et en nanotechnologie.

Honneurs et récompenses

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Akinwande est Fellow 2023 de la Materials Research Society (en) (MRS), Fellow 2021 de l'Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)[28], Fellow 2021 de l’Académie africaine des sciences, Fellow 2017 de la Société américaine de physique (APS).

Il est boursier spécialisé Fulbright 2018 après avoir bénéficié d'une Bourse de recherche Jack Kilby 2013 [29] et d'une Bourse de recherche du Bureau de recherche navale[5],[29].

En 2017 il est lauréat du Prix de recherche Friedrich Bessel de la Fondation Alexander-von-Humboldt[30],[31]. En 2016 il reçoit le Prix de l'inventeur de la Fondation Gordon et Betty Moore (en)[32] ainsi que le Prix présidentiel américain (PECASE) décerné par le président Obama[28],[33]. En 2015 il a reçu le Prix de début de carrière IEEE en nanotechnologie[34]. En 2012 il est lauréat du Prix IEEE Geim et Novoselov Graphene[35], du Prix CAREER 2012 de la National Science Foundation (en)[36], du Prix du jeune chercheur de l'Agence de réduction des menaces de défense[37] et du Prix 3M du corps professoral non titulaire 2012 [29]. En 2011 le Bureau de recherche de l'armée lui décerne son Prix du jeune chercheur[29].

Références

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(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Deji Akinwande » (voir la liste des auteurs).
  1. ↑ a b c d e et f « Deji Akinwande » [archive du ], ZODML (consulté le )
  2. ↑ a et b « Deji Akinwande | IEEE Electron Devices Society » [archive du ], eds.ieee.org (consulté le )
  3. ↑ (en) Stanford University, « Sowing seeds of diversity in academia with PhD fellowships », Stanford News,‎ (lire en ligne, consulté le ).
  4. ↑ (en) « People and Ideas | Interview with Deji Akinwande », GRAD | LOGIC, (consulté le ).
  5. ↑ a et b (en) « Prof. Akinwande Awarded Grant from ONR », Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin, (consulté le ).
  6. ↑ « AIXTRON SE Investor Relations − An Investment with a Future :: AIXTRON », aixtron.com (consulté le )
  7. ↑ « 300mm wafer-scale graphene demonstrated | Akinwande Nano Research Group », nano.mer.utexas.edu, (consulté le )
  8. ↑ Rahimi, Tao, Chowdhury et Park, « Toward 300 mm Wafer-Scalable High-Performance Polycrystalline Chemical Vapor Deposited Graphene Transistors », ACS Nano, vol. 8, no 10,‎ , p. 10471–10479 (ISSN 1936-0851, PMID 25198884, DOI 10.1021/nn5038493, S2CID 5077855)
  9. ↑ (en) H.-S. Philip Wong et Deji Akinwande, Carbon Nanotube and Graphene Device Physics, Cambridge University Press, , 47–72 p. (ISBN 9780511778124, DOI 10.1017/cbo9780511778124.004).
  10. ↑ Akinwande, Petrone et Hone, « Two-dimensional flexible nanoelectronics », Nature Communications, vol. 5, no 1,‎ , p. 5678 (ISSN 2041-1723, PMID 25517105, DOI 10.1038/ncomms6678, Bibcode 2014NatCo...5.5678A)
  11. ↑ a et b Tao, Cinquanta, Chiappe et Grazianetti, « Silicene field-effect transistors operating at room temperature », Nature Nanotechnology, vol. 10, no 3,‎ , p. 227–231 (ISSN 1748-3387, PMID 25643256, DOI 10.1038/nnano.2014.325, Bibcode 2015NatNa..10..227T, hdl 10281/84255, S2CID 5144735)
  12. ↑ Peplow, « Graphene's cousin silicene makes transistor debut », Nature, vol. 518, no 7537,‎ , p. 17–18 (ISSN 0028-0836, PMID 25652975, DOI 10.1038/518017a, Bibcode 2015Natur.518...17P)
  13. ↑ (en) « Prof. Akinwande's Silicene Transistor Named Discover Top 100 Story of 2015 », sur Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin, (consulté le ).
  14. ↑ a et b Kabiri Ameri, Ho, Jang et Tao, « Graphene Electronic Tattoo Sensors », ACS Nano, vol. 11, no 8,‎ , p. 7634–7641 (ISSN 1936-0851, PMID 28719739, DOI 10.1021/acsnano.7b02182, S2CID 19751409)
  15. ↑ (en) Kireev, Sel, Ibrahim et Kumar, « Continuous cuffless monitoring of arterial blood pressure via graphene bioimpedance tattoos », Nature Nanotechnology, vol. 17, no 8,‎ , p. 864–870 (ISSN 1748-3395, PMID 35725927, DOI 10.1038/s41565-022-01145-w, Bibcode 2022NatNa..17..864K, S2CID 249873611, lire en ligne)
  16. ↑ Ge, Wu, Kim et Shi, « Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides », Nano Letters, vol. 18, no 1,‎ , p. 434–441 (ISSN 1530-6984, PMID 29236504, DOI 10.1021/acs.nanolett.7b04342, Bibcode 2018NanoL..18..434G)
  17. ↑ (en) Hus, Ge, Chen et Liang, « Observation of single-defect memristor in an MoS2 atomic sheet », Nature Nanotechnology, vol. 16, no 1,‎ , p. 58–62 (ISSN 1748-3395, PMID 33169008, DOI 10.1038/s41565-020-00789-w, S2CID 226285710, lire en ligne)
  18. ↑ (en) « Towards zero-power 6G communication switches using atomic sheets », Nature Electronics, vol. 5, no 6,‎ , p. 331–332 (ISSN 2520-1131, DOI 10.1038/s41928-022-00767-1, S2CID 249221166, lire en ligne)
  19. ↑ Wunderlich, « Ultra-Thin Memory Storage Device Paves Way for More Powerful Computing - Cockrell School of Engineering », engr.utexas.edu, (consulté le )
  20. ↑ Bourzac, « Two-dimensional materials could enable low-power telecommunications | January 15, 2018 Issue - Vol. 96 Issue 3 | Chemical & Engineering News », cen.acs.org (consulté le )
  21. ↑ « EDL Editor-in-Chief and Editors | IEEE Electron Devices Society », eds.ieee.org (consulté le )
  22. ↑ « About the Editor | npj 2D Materials and Applications », nature.com (consulté le )
  23. ↑ « 2D Flexible and Emerging Devices and Applications | SPIE Homepage: SPIE », spie.org (consulté le )
  24. ↑ (en) « Akinwande-APS-2017 », Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin, (consulté le ).
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  26. ↑ « 2018-2019 American Grantees | Polsko-Amerykańska Komisja Fulbrighta », Polsko-Amerykańska Komisja Fulbrighta (consulté le )
  27. ↑ (en) « Deji Akinwande - World Class Researcher; Creating Solutions in Science and Technology. », Konnect Africa, (consulté le ).
  28. ↑ a et b « Deji Akinwande | Texas ECE - Electrical & Computer Engineering at UT Austin », www.ece.utexas.edu (consulté le )
  29. ↑ a b c et d « Akinwande Nano Research Group », nano.mer.utexas.edu (consulté le )
  30. ↑ « Positive selection decisions since March 2013: Friedrich Wilhelm Bessel Research Award » [archive du ], humboldt-foundation.de (consulté le )
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  32. ↑ (en) « Gordon and Betty Moore Foundation Announces Inaugural Moore Inventor Fellows », VentureBeat,‎ (lire en ligne, consulté le ).
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  35. ↑ (en) « Prof. Deji Akinwande Awarded Geim and Novoselov Graphene Prize », Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin, (consulté le ).
  36. ↑ « NSF Award Search: Award#1150034 - CAREER: Integrated Si-CMOS and Graphene Heterogeneous Nanoelectronics », nsf.gov (consulté le )
  37. ↑ (en) « Profs. Sujay Sanghavi and Deji Akinwande Receive Defense Threat Reduction Agency (DTRA) Young Investigator Awards », Texas ECE | Department of Electrical and Computer Engineering | The University of Texas at Austin, (consulté le ).

Liens externes

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