Fluorosilane

composé chimique

Le fluorosilane est un composé chimique de formule SiH3F. Il se présente sous la forme d'un gaz incolore qui se condense à −98,6 °C en un solide cristallisé dans le système monoclinique, ayant à 96 K le groupe d'espace P21/n (no 14)[4].

Fluorosilane
Image illustrative de l’article Fluorosilane
Structure du fluorosilane
Identification
Synonymes

fluorure de silyle

No CAS 13537-33-2
No ECHA 100.033.539
No CE 236-909-6
PubChem 6327143
SMILES
InChI
Apparence gaz incolore[1]
Propriétés chimiques
Formule H3FSiSiH3F
Masse molaire[2] 50,107 7 ± 0,000 5 g/mol
H 6,03 %, F 37,92 %, Si 56,05 %,
Propriétés physiques
fusion −98,6 °C[3] (sublimation)
ébullition −98,6 °C[3]
Masse volumique 2,048 g·L-3[1]

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le fluorosilane peut être obtenu en faisant réagir du fluorométhane CH3F avec du silicium[5], de l'éther de silyle et de méthyle SiH3OCH3 avec du trifluorure de bore BF3[6] ou du chlorosilane SiH3Cl avec du trifluorure d'antimoine SbF3[7] :

3 SiH3Cl + SbF3 ⟶ SiH3F + SbCl3.

Le fluorosilane peut être utilisé pour déposer des couches de silicium[8].

Notes et références modifier

  1. a et b (en) William M. Haynes, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93e éd, CRC Press, 2016, p. 87. (ISBN 978-1-4398-8050-0)
  2. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. a et b (en) Dale L. Perry, Handbook of Inorganic Compounds, 2e éd., CRC Press, 2016, p. 179. (ISBN 978-1-4398-1462-8)
  4. (en) Alexander J. Blake, E. A. V. Ebsworth, Steven G. D. Henderson et Alan J. Welch, « Structure of silyl fluoride, SiH3F, at 96 K », Acta Crystallographica Section C, vol. C41,‎ , p. 1141-1144 (DOI 10.1107/S0108270185006904, lire en ligne)
  5. (en) Han-Gook Cho, « Investigation of Reaction Paths from Si + CH4 to C + SiH4 and from Si + CH3F to C + SiH3F: Intrinsic Reaction Coordinate Studies », Journal of the Korean Chemical Society, vol. 60, no 2,‎ , p. 149-153 (DOI 10.5012/jkcs.2016.60.2.149, lire en ligne)
  6. (en) Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry, Academic Press, 1961, p. 236. (ISBN 978-0-08-057852-1)
  7. (en) C. C. Addison, Inorganic Chemistry of the Main-Group Elements, Royal Society of Chemistry, 1973, p. 188. (ISBN 978-0-85186-752-6)
  8. (en) Akihisa Matsuda, Kiyoshi Yagii, Takao Kaga et Kazunobu Tanaka, « Glow-Discharge Deposition of Amorphous Silicon from SiH3F », Japanese Journal of Applied Physics, vol. 23, no 8,‎ , L576-L578 (DOI 10.1143/JJAP.23.L576, Bibcode 1984JaJAP..23L.576M, lire en ligne)