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Schéma de principe d'un détecteur Si(Li)

Un détecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitué principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 à 5 mm d'épaisseur polarisée par une tension d'environ −1000 V. La partie centrale dopée au lithium forme la couche non conductrice i (intrinsèque), où le Li compense les accepteurs résiduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le détecteur, cela provoque la création de paires électrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivité suffisamment faible, le détecteur doit être maintenu à basse température, et un refroidissement à l'azote liquide doit être utilisé pour avoir une bonne résolution. Avec une certaine perte de résolution, un système de refroidissement Peltier peut être utilisé[1].

RéférencesModifier

  1. David Bernard Williams et C. Barry Carter, Transmission electron microscopy: a textbook for materials science, vol. 2, Springer, (ISBN 0-306-45324-X, lire en ligne), p. 559