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Recuit thermique rapide

Page d'aide sur l'homonymie Pour les articles homonymes, voir RTA.

Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais[1]) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.

ProcédéModifier

Les wafers doivent être redescendus en température assez lentement, sinon ils se brisent à cause du choc thermique. De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. Ces procédés sont utilisés dans une large variété d'applications dans la fabrication de semi-conducteurs incluant l'activation des dopants, l'oxydation thermique, la mise en forme de métaux et le dépôt par voie chimique.

Notes et référencesModifier

  1. (en)Recuit thermique rapide, RTP et RTA, sur crystec.com, consulté le 19 septembre 2016.

Voir aussiModifier

Article connexeModifier

Liens externesModifier