Electron beam-induced deposition

La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.

ProcédéModifier

Mécanisme de croissanceModifier

Résolution spatialeModifier

Matériaux et précurseursModifier

AvantagesModifier

InconvénientsModifier

Croissance induite par faisceau d'ionsModifier

FormesModifier

Voir aussiModifier

RéférencesModifier

Livres et documents en ligneModifier

Liens externes (en anglais)Modifier