Electron beam-induced deposition
La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.
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Procédé modifier
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Mécanisme de croissance modifier
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Résolution spatiale modifier
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Matériaux et précurseurs modifier
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Avantages modifier
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Inconvénients modifier
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Croissance induite par faisceau d'ions modifier
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Formes modifier
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Voir aussi modifier
Références modifier
Livres et documents en ligne modifier
- "Nanofabrication: Fundamentals and Applications" Ed.: Ampere A. Tseng, World Scientific Publishing Company (March 4, 2008), (ISBN 981-270-076-5 et 978-981-270-076-6)
- K. Molhave: "Tools for in-situ manipulations and characterization of nanostructures", PhD thesis, Technical University of Denmark, 2004
