Electron beam-induced deposition
La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.
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Procédé
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Mécanisme de croissance
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Résolution spatiale
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Matériaux et précurseurs
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Avantages
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Inconvénients
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Croissance induite par faisceau d'ions
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Formes
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Voir aussi
modifierRéférences
modifierLivres et documents en ligne
modifier- "Nanofabrication: Fundamentals and Applications" Ed.: Ampere A. Tseng, World Scientific Publishing Company (March 4, 2008), (ISBN 981-270-076-5 et 978-981-270-076-6)
- K. Molhave: "Tools for in-situ manipulations and characterization of nanostructures", PhD thesis, Technical University of Denmark, 2004
