Discussion:Self-aligned gate
Dernier commentaire : il y a 4 mois par 90.2.248.27 dans le sujet Chevauchement entre la grille et les bords de la source et du drain.
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Chevauchement entre la grille et les bords de la source et du drain.
modifierL'article indique : « Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. »
L'un des principaux intérêts de cette technique a justement été d'annuler ce chevauchement, afin de réduire au minimum les capacités parasites entre la grille et les autres électrodes (notamment le drain) qui nuit à la rapidité du transistor et la variabilité aléatoire des caractéristiques des composants fabriqués.
L'illustration fournie ne correspond pas à un transistor « Self-aligned gate » mais à un transistor classique. 90.2.248.27 (discuter) 29 mars 2024 à 12:42 (CET)
- Outre le texte qui est à corriger, pour illustrer correctement la technique « Self-aligned gate » il faudrait plutôt mettre une image similaire à la figure 2 de cet article, par exemple. 90.2.248.27 (discuter) 29 mars 2024 à 14:27 (CET)