Richard Henry Friend
| Knight Bachelor |
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Trinity College (doctorat) (jusqu'en ) Rugby School Université de Cambridge |
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Denis Jérome, Abraham David Yoffe (d) |
| Distinctions | Liste détaillée Médaille Rumford () Médaille Faraday () Prix Descartes () IET Kelvin Lecture (d) () Prix IEEE Daniel E. Noble () Prix Rhodia Pierre-Gilles de Gennes () King Faisal International Prize in Science () Katharine Burr Blodgett Medal and Prize () Prix Harvey () Docteur honoris causa de l'université de Hasselt () Prix Von-Hippel (d) () Docteur honoris causa de l'université de Linköping Clifford Paterson Lecture Fellow of the Royal Academy of Engineering |
Richard Henry Friend, né à Londres le ) est un physicien britannique, titulaire de la chaire Cavendish de l'université de Cambridge et professeur à l'université nationale de Singapour. Ses recherches concernent la fabrication et les propriétés physiques des semiconducteurs à substrat organique[1]. Il s'est consacré au développement des transistors à effet de champ à substrat polymère, aux LEDs, aux diodes photovoltaïques, au pompage optique et à l'impression 3D de transistors à base de polymère. Il est à l'origine des premiers travaux sur les propriétés électroniques des semi-conducteurs moléculaires. Il est membre d'un groupe de recherche interdisciplinaire de Cambridge voué à la promotion des nanotechnologies.
Friend préside la commission scientifique de la Fondation Nationale de la Recherche (NRF) de Singapour[2].
Biographie modifier
Friend effectue ses études secondaires à Rugby School puis étudie à Trinity College (Cambridge), où il soutient sa thèse de physique en 1979[3]. Il est fellow de St John's College (Cambridge). Il a co-fondé deux junior entreprises : Cambridge Display Technology (CDT) et Plastic Logic.
Recherches modifier
Friend a publié plus de 600 articles[4],[5] et déposé une vingtaine de brevets. Ses travaux ont permis le développement d'écrans plats et d'écrans pliants ou enroulables plus faciles à transporter.
Il s'est illustré dans l'étude expérimentale des propriétés électroniques de matériaux innovants, surtout issus de la chimie organique : semi-conducteurs, métaux et matériaux anorganiques de structure électronique simple, y compris la structure de couche des métaux de transition chalcogénures et des supraconducteurs cuprates. Il a formé le diagramme de phases pression/température des métaux de transition chalcogénures et du TTF-TCNQ. Il a établi les conditions d'émission d'ondes à densité de charge (CDW, Charge Density Wave) pour les phases supraconductrices de TaS2 (en), mis en évidence les phénomènes de transition de bande dans l'intercalation de métaux de transition chalcogénures par diverses bases de Lewis (métaux alcalins, amines) dans le disulfure de titane. Il a mis à profit le transfert de charge dans les couches hôtes pour contrôler leur structure électronique et déterminer les conditions de formation de super réseau, ainsi que les mécanismes de transport de charges.
Il a fait progresser la connaissance des états fondamentaux métallique, supraconducteur, magnétique et isolant des sels à transfert de charge organique. Il a réalisé les premières observations des oscillations de de Haas-van Alphen sur la susceptibilité magnétique d'un composé organométallique. Avec son équipe, il a mis au point des techniques de formage des matières plastiques pour les polymères conjugués, et mis e évidence l'excitation non-linéaire d'électrons par mesures électriques et optiques. On lui doit la fabrication du premier transistor MOSFET à base de Polyacétylène, et du premier semi-conducteur déployable à échelle industrielle et commerciale, la LED Poly(p-phénylène vinylène) (en)[6].
Prix et distinctions modifier
Friend a été élu à la Royal Academy of Engineering (FREng) en 2002. Il a reçu la Médaille Faraday de l'IEE en , et a été anobli la même année en reconnaissance de ses recherches en sciences physiques. Il a été reçu docteur honoris causa de l'université Heriot-Watt en 2006[7].
Friend est l'un des trois lauréats du Prix Millennium Technology 2010 pour le développement de l'électronique à base de polymères[8].
En 2011 le Technion d’Israël lui a décerné le Prix Harvey[9].
En 2013, il est nommé docteur honoris causa de l'université de Hasselt[10].
Références modifier
- "Professor Sir Richard Friend". Optoelectronics group, Department of Physics, University of Cambridge
- Fondation Nationale de la Recherche (NRF) de Singapour : Organisation
- Cf. Richard Henry Friend, Transport properties and lattice instabilities in one and two dimensional metals, Université de Cambridge, (lire en ligne)
- (en) « Liste de publications », sur Microsoft Academic Search (en)
- (en)Publications de Richard Henry Friend indexées sur la base de données Scopus d'Elsevier.
- « EC/1993/12: Friend, Richard Henry. Library and Archive Catalogue » [archive], sur The Royal Society, Londres,
- « Annual Review 2006 : People, Honours and Awards », sur www1.hw.ac.uk (version du sur Internet Archive)
- « Professor Sir Richard Friend: Developer of plastic electronics », sur Millennium Prize, (consulté le )
- Harvey Prize 2011 « https://web.archive.org/web/20120320082022/http://www.focus.technion.ac.il/Feb11/newsStory.asp?id=136 »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?),
- (en) « Honorary doctorate recipients », sur UHasselt (consulté le )
Liens externes modifier
- Ressources relatives à la recherche :
