Ferroelectric Random Access Memory

Pour les articles homonymes, voir FRAM.

La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie.

FeRAM

Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :

• une plus faible consommation d'électricité ;
• une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
• la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.

Les inconvénients sont par contre :

• des capacités de stockage plus limitées ;
• un coût de fabrication plus élevé.

Leur utilisation est destinée au SSD.

Liens externes

• (en) FRAM technology overiew, by RAMTRON
• (en) FeRAM Tutorial
• (en) TI MSP430 FRAM Series