Sulfure de gallium(II)

composé chimique

Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre. La forme normale du sulfure de gallium(II) préparé à partir des éléments simples a une structure en couche hexagonale contenant des unités Ga24+ qui ont une distance Ga-Ga de 248 pm[2]. Cette structure en couche est similaire à celle de GaTe, GaSe et InSe[2]. Une forme métastable inhabituelle, avec une structure wurtzite déformée produite par MOCVD a été signalée. Les précurseurs organométalliques étaient les di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, par exemple GatBu2(S2CNMe2), le dépôt étant effectué sur du GaAs. La structure du GaS produit de cette façon est probablement Ga2+ S2−[3].

Sulfure de gallium(II)
Image illustrative de l’article Sulfure de gallium(II)
Modèle boules et bâtons du sulfure de gallium(II)
Identification
Synonymes

Sulfure de gallium

No CAS 12024-10-1
No ECHA 100.031.522
PubChem 6370242
SMILES
InChI
Apparence Cristaux jaunes[réf. nécessaire]
Propriétés chimiques
Formule GaS
Masse molaire[1] 101,788 ± 0,006 g/mol
Ga 68,5 %, S 31,5 %,
Susceptibilité magnétique −23,0 × 10−6 cm3/mol[réf. nécessaire]
Propriétés physiques
fusion 965 °C
Masse volumique 3,86 g cm−3[réf. nécessaire]
Cristallographie
Système cristallin hexagonal[réf. nécessaire]
Symbole de Pearson
Classe cristalline ou groupe d’espace P63/mmc, No. 194
Composés apparentés
Autres composés

Sulfure de gallium(III)


Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Les mono-couches de sulfure de gallium sont des semi-conducteurs bidimensionnels dynamiquement stables, dans lesquels la bande de valence a une forme de chapeau mexicain inversé, conduisant à une transition de Lifshitz lorsque le dopage en trous est accru[4].

Notes et références modifier

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. a et b (en) Norman N. Greenwood et Alan Earnshaw, Chemistry of the Elements, Butterworth-Heinemann (en), , 2e éd. (ISBN 0080379419)
  3. MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999. DOI 10.1021/cm9903632
  4. (en) V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko, « Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides », Phys. Rev. B, vol. 87,‎ , p. 195403 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.195403, Bibcode 2013PhRvB..87s5403Z, arXiv 1302.6067)