Séléniure de cadmium

Séléniure de cadmium
Identification
Nom UICPA	Séléniure de cadmium
No CAS	1306-24-7
No ECHA	100.013.772
No CE	215-148-3
PubChem	14784
Propriétés chimiques
Formule	CdSe  [Isomères]
Masse molaire	191,37 ± 0,04 g/mol Cd 58,74 %, Se 41,26 %,
Propriétés physiques
T° fusion	1 268 °C[réf. nécessaire]
Masse volumique	5,816 g·cm-3[réf. nécessaire]
Cristallographie
Système cristallin	hexagonal
Classe cristalline ou groupe d’espace	P63mc (no 186) hexagonal Hermann-Mauguin : $P\ 6_{3}\ m\ c\,$ Schoenflies : $C_{6v}^{4}\,$
Structure type	Wurtzite
Propriétés optiques
Indice de réfraction	$n_{}^{}$ 2,5[réf. nécessaire]
Composés apparentés
Autres cations	Séléniure de zinc Séléniure de mercure
Autres anions	Oxyde de cadmium Sulfure de cadmium Tellurure de cadmium
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le séléniure de cadmium (CdSe) est un composé du sélénium et du cadmium.

Toxicité

Le cadmium est un métal lourd toxique et des précautions appropriées doivent être prises lors de sa manipulation et celle de ses composés. Les séléniures sont toxiques en grande quantité. Le séléniure de cadmium est une substance cancérogène connue pour les humains et l'attention médicale doit être recherchée en cas d'ingestion ou si le contact avec la peau ou les yeux se produit.

Applications

Le CdSe est transparent aux radiations infrarouges et est parfois utilisé dans la photorésistance et dans les fenêtres pour les instruments utilisant la lumière infrarouge. Le matériau est également hautement luminescent.

Ce semi-conducteur est un redresseur de courant. Il sert dans les cellules photoélectriques, mais aussi sur les écrans TV, les écrans fluorescents et les posemètres.

Notes et références

• (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Cadmium selenide » (voir la liste des auteurs).

Liens externes

• National Pollutant Inventory - Cadmium and compounds
• Nanotechnology Structures - Quantum Confinement
• Thin-film transistors (TFTs). J. DeBaets et al., High-voltage polycrystalline CdSe thin-film transistors, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-37, p. 636–639, mars 1990, lire en ligne DOI 10.1109/16.47767.
• T Ohtsuka, J Kawamata, Z Zhu, T Yao, « p-type CdSe grown by molecular beam epitaxy using a nitrogen plasma source », Applied Physics Letters, vol. 65, n^o 4,‎ 1994, p. 466 (DOI 10.1063/1.112338, Bibcode 1994ApPhL..65..466O)
• Ma, C; Ding, Y; Moore, D; Wang, X; Wang, Zl, « Single-crystal CdSe nanosaws », Journal of the American Chemical Society, vol. 126, n^o 3,‎ janvier 2004, p. 708–9 (ISSN 0002-7863, PMID 14733532, DOI 10.1021/ja0395644)
• Califano, Marco, Alex Zunger et Alberto Franceschetti, « Direct carrier multiplication due to inverse Auger scattering in CdSe quantum dots », Applied Physics Letters, vol. 84, n^o 13,‎ 2004, p. 2409 (DOI 10.1063/1.1690104, Bibcode 2004ApPhL..84.2409C)
• Schaller, Richard D., Melissa A. Petruska et Victor I. Klimov, « Effect of electronic structure on carrier multiplication efficiency: Comparative study of PbSe and CdSe nanocrystals », Applied Physics Letters, vol. 87, n^o 25,‎ 2005, p. 253102 (DOI 10.1063/1.2142092, Bibcode 2005ApPhL..87y3102S)
• Hendry, E., M Koeberg, F Wang, H Zhang, C De Mello Donegá, D Vanmaekelbergh et M Bonn, « Direct Observation of Electron-to-Hole Energy Transfer in CdSe Quantum Dots », Physical Review Letters, vol. 96, n^o 5,‎ 2006, p. 057408 (PMID 16486988, DOI 10.1103/PhysRevLett.96.057408, Bibcode 2006PhRvL..96e7408H)*