Discussion:Drain et source
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Sens du courant modifier
Cette phrase : Pour un transistor à canal N, le courant entre par le drain et sort par la source ; pour un canal P, c'est le contraire, n'est pas tout à fait exacte : pour les Fet et Mosfet, ces composants sont caractérisés dans ce sens, mais fonctionnent aussi dans l'autre sens, généralement avec une RDSon plus importante (comme par exemple dans les switchs analogiques). De même pour les Mosfet le courant qui s'établi dans la diode inverse intrinsèque est aussi de sens contraire, pour les IGBT avec diode intégrée également. Mais cette phrase est peut-être suffisante ? Daniel D {⁴} 28 mars 2007 à 14:28 (CEST)
- A mon avis cette phrase n'est pas suffisante. Cela ne coûte rien de préciser que les composants peuvent aussi fonctionner dans l'autre sens mais que leurs caractéristiques sont moins bonnes. A la limite, cela peut passer en note/ref. Je ne connaissais pas l'utilisation des FET en sens inverse dans les switchs analogiques: cela donne une raison de plus de compléter la phrase.note pour plus tard: faire une recherche google sur switchs analogiques--Yves-Laurent 29 mars 2007 à 14:14 (CEST)
- Dans un switch analogique bidirectionnel CMOS, la disposition de deux Mosfet en //, un canal N et un canal P, tiend justement à l'optimisation de la caractéristique RDSon= f(VDS) avec VDSpositif et négatif. Celle- ci a d'ailleurs l'aspect d'un cratère de volcan (pour l'image :D), dû aux deux RDSon en //. Avec des Fet à jonction cela se pratiquait (au siècle dernier ;D) très couramment en général avec des canal N.
- Dans un convertisseur de puissance, en faisant conduire le Mosfet pendant les phases de roue-libre (c'est-à-dire pendant que sa diode anti-parallèle conduit), on peut notablement réduire les pertes par conduction. Daniel D {⁴} 30 mars 2007 à 02:09 (CEST)
- Merci pour les infos. Pour les convertisseurs de puissances, il y a un article qui parle de cela ici.-- Yves-Laurent 30 mars 2007 à 08:35 (CEST)
- Ok, très bien ! Daniel D {⁴} 30 mars 2007 à 10:49 (CEST)
- Merci pour les infos. Pour les convertisseurs de puissances, il y a un article qui parle de cela ici.-- Yves-Laurent 30 mars 2007 à 08:35 (CEST)
- Dans un switch analogique bidirectionnel CMOS, la disposition de deux Mosfet en //, un canal N et un canal P, tiend justement à l'optimisation de la caractéristique RDSon= f(VDS) avec VDSpositif et négatif. Celle- ci a d'ailleurs l'aspect d'un cratère de volcan (pour l'image :D), dû aux deux RDSon en //. Avec des Fet à jonction cela se pratiquait (au siècle dernier ;D) très couramment en général avec des canal N.
Pourriez-vous rendre cet article plus accessible (par exemple pour un lycéen) ? modifier
Bonjour,
Mettez vous à la place d'un lycéen : cet article me semble trop compliqué.
Est-ce que vous ne pourriez pas mettre quelque chose comme : - la Source (Source) S: point de départ des porteurs, - le Drain (Drain) D : point de collecte des porteurs, - La Grille (Gate) G contrôle le nombre de porteurs présents dans le canal.
(je ne suis pas électronicien) Cdlt, YD